gate last技術
中芯在28奈米節點原先走Gate-last,在2012年得到IBM的協助,簽訂合作開發協議之後,採取以Gate-last與Gate-first兼容進行技術開發。不過,不同於先前40奈米節點 ...,2015年11月4日—Gate-last在功耗控制能力上比較優秀,但是製程工序比較複雜,但複雜的工序可以靠燃...
详解Gate- first与Gate
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2010年3月20日—随着晶体管尺寸的不断缩小,HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术。不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内却 ...
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